在传统半导体器件中，导电性是由电场控制的。为了增加它们的功能（这有可能导致将数据处理与非挥发性记忆结合在一起的装置的问世），人们对寻找用电场同时也来控制磁化的方法有浓厚兴趣。这种控制已借助磁致伸缩（magnetostriction）（所谓磁致伸缩，是指由机械产生的应变所诱导的磁化发生的一个变化）间接实现，但这不适合实际应用。现在，Chiba等人介绍了一种直接方法：他们发现，铁磁性半导体(Ga,Mn)As中的磁致各向异性依赖于载荷子密度，而且这一参数可利用一个电场来改变。通过施加一个电场，将有可能在磁化的稳定方向之间进行切换。
