灿烂的钆给闪存一个前程

利用一种由台湾长庚大学的科学家们提出的巧妙的纳米晶体材料，未来的闪存可以更快更多地存储数据而无需改变它的基本设计。科学家们在美国物理联合会出版的《应用物理快报》上描述了一个用稀土元素钆制成的新逻辑元件。

在半导体工业界中众所周知的传统闪存　- - 今日移动电子产品的一个重要元件- -　其性能不可能再有很大的提高。这是由于为追求更快性能和更大数据存储能力而不断缩小其悬浮栅结构的方法会很快降低其记忆保持的能力。这种状况促进了世界性的广泛研究，现已形成数十个内存设计替代方案，但是对工业界最有吸引力的将是一个对现有悬浮栅设计作最少改动的方案。

台湾桃园长庚大学赖朝松带领的研究小组就已这样做了。他们演示了一个经巧妙修改的氧化钆悬浮栅所具有的写/擦除速度和数据保存的性能使将来更小，更快，更高容量的闪存得以实现。氧化钆是一种已被用在其他微电子应用中的廉价稀土化合物。

“此类内存的低电压和低功耗的操作性会对将来智能手机和其他电信应用有特别的吸引力，” 赖博士说。

长庚的研究者们提出了两个导致他们成功的关键见解。去年他们意识到，把结晶和无定形氧化钆放在一起，其电学特性接近于将来悬浮栅闪存所需的特性。在无定形氧化钆胎体内制成氧化钆纳米晶体之后，他们又把它暴露于含氟等离子体中来提高材料的性能，一直到理想水平。由于所有他们使用的材料和工艺都是半导体行业所熟知的，赖博士对此设计最终取得商业成功很乐观。

EurekAlert!