半吊子方法能改进磁性存储器

中国科学家揭示了利用电场而不是磁场，来翻转感应层的磁化仅约一半而不是完全，到相反的方向，可以使磁性存储器，逻辑和感应元件变得更快和更节能。他们在美国物理联合会（AIP）出版的《应用物理杂志》上描述了这一新的元件设计。

经多年研究，磁性随机存取存储器（或称MRAM）元件已被视作硬盘驱动器，闪存，甚至运算电路等各类部件的可能替代品。但是以前的各种设计已被证明是太耗电或太昂贵因而缺乏竞争力。

“我们新的元件设计为实现快速，非挥发和超低功耗的数据存储元件和逻辑门提供了一个极大的可能性，”中国北京清华大学的南策文博士说。新元件比现有的元件更容易制造。仅需两层，而不象传统的磁性存储器需要三层或更多层。

南小组的设计是两种不同的材料组成的一个简单的薄夹层，两种材料各自有非常不同的磁性和电性能。给铁电层通电压会切换它的极化方向，从而开始改变相邻铁磁层的磁化方向。这种部分的变化改变了整个叠层的电阻，并足以标明此存储单元是一个数位“0”还是“1”。后续研究的目标是了解和优化这种材料来增大其电阻变化，这将增强其商业前景。

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