有望成为高性能FET的新型锗/硅纳米线 来源： 神秘的地球 时间：2007年11月27日 14:55 以半导体纳米线为基础的场效应晶体管（FET）有一天可能会取代微型电路中标准的硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管)。 MOSFET是用于高速切换和电脑集成电路中的一种普及型的晶体管。一种专门设计的、具有锗外壳和硅内核的纳米线，有希望成为一种纳米尺度的场效应晶体管：它有一个近乎完美的导电通道。现在，在半导体配置中，这种锗/硅纳米线表现出了包括电导高和切换时间延迟短在内的性能，这些性能优于最新硅MOSFET材料。 上一篇 下一篇 TAG: 纳米线
